Ultima modifica: 27 Luglio 2021

pertanto

10 Luglio 13 Articolo

ORGANI SOCIALI TRIENNIO 2013-2016

Il giorno 27 Giugno 2013, presso la Sezione ARI di Nocera Inferiore, si sono svolte le elezioni per il rinnovo delle cariche sociali per il triennio 2013-2016. Ieri, 9 Luglio 2013, si è svolta la riunione di insediamento e assegnazione delle cariche e degli incarichi. Risultano, pertanto, eletti: CONSIGLIO DIRETTIVO Presidente Luigi Bartiromo IK8BHF V.    »

20 Maggio 13 Articolo

PROVAMOSFET / PROVAFET (CANALE N)

Uno strumento di misura per il nostro laboratorio veramente indispensabile, dopo il provatransistor, è il provaMosFET.
Il Provatransistor lo si trova dappetutto, sulle riviste tecniche, in Kit e persino su alcuni multimetri digitali, ma di un circuito prova MosFET, funzionante a radiofrequenza, non sono riuscito a trovarne traccia sia in letteratura sia sul WEB, per cui ritengo il mio progetto assolutamente originale .

CIRCUITO ELETTRICO
Tale progetto è scaturito dalla necessità di testare un MosFET, che sospettavo essere difettoso, montato su un ricetrasmettitore per HF.
A questo punto ho dovuto studiare un dispositivo che mi permettesse di valutarne la efficienza di un buon funzionamento.
Dalle prove e studi effettuati, la configurazione a circuito di amplificazione di radiofrequenza a 455 Kc., è risultato il miglior compromesso tra semplicità costruttiva ed efficienza di funzionamento, testando il guadagno con il controllo variabile sulla polarizzazione del Gate 2.
Per assolvere a tale funzione ho dovuto prima realizzare un modulo con generatore di radofrequenza a 455 Kc., a transistore, da anteporre all’ingresso del Gate 1 del MosFET in prova, e poi un modulo di amplificazione a radiofrequenza di 455 Kc. per verificarne il funzionamento.
Tale generatore, pertanto, non è altro che un transistore, adeguatamente polarizzato in base, in circuto HARTLEY su induttanza di Media Frequenza a 455 Kc.
Dal link di uscita di tale induttanza viene prelevato il segnale ed inviato sul Gate 1 del MosFET in prova utilizzato, appunto, come amplificatore di radiofrequenza.
Il Drain del MosFET in prova ha il cicuito di uscita accordato sullo stesso valore della induttanza del circuito oscillatore, e, dal link di uscita di quest’ultimo, il segnale amplificato, raddrizzato e duplicato, viene inviato ad un galvanometro per una visualizzazione sulla sua scala analogica.
Il controllo di guadagno regolabile inserito, con un potenziometro di adeguato valore verso massa, sul Gate 2 permette di valutarne la efficienza.
In altri termini, il componente sotto prova viene utilizzato esattamente per la configurazione cui è stato progettato e strutturato.
Lo schema elettrico del provaMosFET allegato, ritengo, sia esaustivo per la comprensione del funzionamento dello strumento.

6 Marzo 12 Articolo

INIETTORE DI SEGNALE

Tratto da: RADIO  KIT  ELETTRONICA  n° 2 – Febbraio  2012 (pag. 21)

Eccomi di nuovo su RK per la presentazione di uno strumento “storico” particolarmente utile, anche ai nostri giorni, per il proprio laboratorio di OM.
Sul WEB ed in letteratura esistono molti schemi, con transistori e circuiti integrati, e presentazioni, sia teoriche sia pratiche, da parte di numerosi autori sull’accessorio che mi accingo a descrivere per gli autocostruttori.
Ovviamente a tale riguardo, come suol dirsi, nulla di nuovo sotto il sole.
Tale strumento per la ricerca dei guasti, denominato “Iniettore di Segnale” (Fig.1 – Fig.2), è tanto semplice, nel concetto e nella costruzione, quanto prezioso per la ricerca veloce dei guasti nelle apparecchiature di ricezione di alta frequenza o nelle apparecchiature di amplificazione di bassa frequenza.
Infatti, applicando il segnale sugli ingressi dei vari stadi, in successione a ritroso (e la spiegazione è per chi inizia in elettronica), si potranno individuare gli stadi funzionanati finchè si ascolta la nota.
La mancanza dell’ascolto della nota evidenzia, pertanto, lo stadio guasto.

Link vai su